摘要：GaN作为新型半导体材质，成为现阶段研究的一个热点，而且已经开始投入市场。由GaN为主要材料的GaN基SBD是现阶段功率集成电路中应用很广泛的功率器件。本课题主要是探讨场板结构与GaN基SBD的击穿电压上的关联。通过Silvaco仿真不带场板的GaN基SBD以及带场板的GaN基SBD在不同的场板长度、绝缘层厚度、漂移区的浓度下，器件的击穿电压的差异，得到了在场板长度是1.6 μm、场板下绝缘层厚度为300 nm、GaN漂移层Nd=1x1016 cm-3时，SBD的击穿电压达到了840 V。

关键词：氮化镓；肖特基势垒二极管；场板结构；击穿特性

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摘   要

ABSTRACT

第一章 绪论-1

1.1引言-1

1.2 GaN肖特基二极管的研究现状与意义-2

1.3论文内容与章节安排-4

第二章 金半接触与器件物理-6

2.1金属-半导体接触-6

2.1.1金属-半导体接触原理与能带图-6

2.1.2金属-半导体整流理论-11

2.2 SBD理论简介-13

2.2.1 SBD正向导通特性-13

2.2.2 SBD反向击穿机制-16

第三章 场板结构改善GaN SBD击穿电压-18

3.1 Silvaco TCAD仿真软件介绍-18

3.2 GaN SBD的电场集中效应-19

3.3常用终端结构简介及GaN SBD简单仿真-20

3.4横向场板型GaN SBD的仿真与分析-25

3.4.1横向场板型GaN SBD结构建模-25

3.4.2横向场板长度对击穿电压的影响-26

3.4.3绝缘层厚度对击穿电压的影响-28

3.4.4掺杂浓度对击穿电压的影响-29

第四章 结论与展望-31

4.1结论-31

4.2展望-31

参考文献-32

致 谢-32