摘要：低压SGT MOS是一种基于传统沟槽式MOSFET的一种改进型的功率MOSFET。相对于传统MOSFET功率器件，它的栅漏电容大大降低，开关速度变得更快，具有更加良好的器件性能，因此被广泛的应用于通讯、计算机、汽车等行业。

本文首先介绍了SGT MOS的研究背景，然后分析了SGT MOS的工作原理和电学参数，继而研究了SGT MOS的元胞结构，最后用TSUPREM4工艺仿真软件和MEDICI电学特性仿真软件设计了一款低压SGT MOS，并对器件的元胞结构和击穿电压进行了仿真，得到的仿真结果与理论分析一致。

关键词：SGT MOS；电容；仿真；工艺流程

目录

摘要

Abstract

第一章  概述-1

1.1 功率器件概述-1

1.2 传统MOSFET的发展历程-1

1.3 本文研究的主要内容-2

第二章  SGT MOS的基本结构及工作原理-4

2.1 SGT MOS的元胞结构-4

2.2 SGT MOS的工作原理-5

2.3 SGT MOS的电学特性-6

第三章  SGT MOS的工艺-10

3.1光刻与刻蚀的工艺简介-10

3.2 SGT MOS的工艺流程-11

第四章  SGT MOS的分析与击穿特性仿真-15

4.1 TSUPREM4仿真软件简介-15

4.2 SGT MOS 的工艺仿真-16

4.3 SGT MOS 的击穿特性仿真-20

第五章 总结与展望-21

结束语-22

致谢-23

参考文献-24

附录A -25

附录B -43