摘要：SOI器件的耐压由横向耐压和纵向耐压中的最小值决定，在SOI LDMOS器件中加入复合介质槽埋层后，由于槽氧和第一埋氧层对空穴的吸引束缚作用，从而使顶层硅电场趋近均匀分布，器件的横向耐压大幅提高，克服了常规SOI LDMOS结构的源漏端的高电场问题；由于SOI器件的纵向电场聚集在埋氧层，埋氧层及槽氧层为纵向耐压做了巨大贡献，因而器件的纵向耐压进一步提高。本课题设计了具有复合介质槽埋层的SOI高压器件新结构。通过调整顶层硅厚度、漂移区浓度、槽氧高度、第一埋氧层厚度、多晶厚度、多晶掺杂浓度、第二埋氧层厚度等参数来优化器件结构，运用medici软件进行模拟仿真，最终确定一组最优参数，使得器件的耐压能力超过1000伏特。

关键字: 复合介质槽埋层；SOI耐压；medici

目录

摘要

Abstract

第一章 引言-1

第一节 SOI技术概述-1

第二节 SOI材料制备技术-2

一、SIMOX技术-2

第三节 SOI器件耐压技术的研究现状与发展-3

一、横向耐压技术-3

二、纵向耐压技术-4

三、待解决的问题-4

第四节 本文的研究内容-5

第二章 用MEDICI对常规SOI LDMOS器件耐压性研究-6

第一节 仿真实验流程-6

一、器件参数的确定-6

二、仿真程序的书写-6

三、运行仿真，并对结果进行分析-6

第二节 耐压性研究及结果讨论-8

第三节 常规SOI LDMOS器件仿真分析总结-9

第三章 用MEDICI对复合介质槽埋层SOI LDMOS器件耐压性研究-10

第一节 仿真实验流程-10

一、器件参数的确定-10

二、仿真程序的书写-10

三、运行仿真，并对结果进行分析-10

第二节 耐压性研究及结果讨论-13

第三节 复合介质槽埋层SOI LDMOS器件仿真分析总结-15

第四章 对常规和复合介质槽埋层SOI LDMOS器件耐压性研究总结-16

总结-17

致谢-18

参考文献-19

附录-20