应用于开关电源的NMOSFET功率管驱动电路设计.docx

资料分类:工业大学 上传会员:暖暖大将军 更新时间:2024-08-03
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摘要:在开关电源芯片设计中,NMOSFET功率管驱动是设计的一个难点。

论文对一种分段式驱动电路进行了探究。通过对栅极驱动信号的分段控制,使得被驱动NMOS管缓慢开启和关断,有效削弱了栅极电压过冲和震荡,达到减少功率管在导通和关断过程中对系统以及其他电路产生电磁干扰的目的。通过调节电路架构和器件参数,使用仿真软件实现电路结构优化并波形仿真,最后通过实测结果和仿真对比结果显示,电路各项指标达到设计要求。

本文选择的是东部0.18μm工艺库,利用CadenceVirtuoso仿真工具对整个功率管驱动电路进行仿真。

 

关键词:分段式驱动电路;NMOSFET功率管驱动;米勒效应

 

目 录

摘 要

ABSTRACT

第一章 前言-1

1.1 引言-1

1.2 功率MOSFET器件驱动电路的发展趋势-1

1.2.1 功率MOSFET器件的发展-1

1.2.2 现代功率器件分类-1

1.2.3 功率MOSFET器件驱动电路设计要求-3

1.3 功率MOSFET器件驱动电路的作用-3

1.4 研究的目的和意义-3

1.5 本章小结-3

第二章 MOSFET功率管的基本原理-4

2.1 MOSFET功率管的种类和结构-4

2.1.1 功率MOS的伏安特性-4

2.2NMOSFET的工作原理-6

2.3 功率MOSFET的电容特性分析-6

2.4 功率MOSFET开关管损耗-9

2.4.1 MOSFET的工作损耗近似计算-10

2.5 本章小结-11

第三章 功率管驱动电路设计与仿真-13

3.1 功率管驱动电路结构设计-14

3.2 功率管驱动电路仿真分析-15

3.2.1 功率管驱动电路仿真电路-15

3.2.2 功率管驱动电路仿真波形分析-17

3.3 本章小结-17

第四章 分段式功率管驱动电路设计与仿真-18

4.1 分段式驱动电路的优势-18

4.2 分段式功率管驱动电路结构设计-18

4.3 仿真结果的分析-21

4.4 本章小结-22

第五章 总结与展望-23

参考文献-24

致谢-25

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上传会员 暖暖大将军 对本文的描述:在做开关电源NMOSFET功率驱动的时候必须考虑上述电磁干扰的必要抑制。尽管世界上各个国家,都在电信网络污染的各个方面制定了很多规定,但是都没有达到理想效果。所以要解决根本......
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