化学机械抛光中铜抛光液研究.rar

资料分类:工业大学 上传会员:lovefish 更新时间:2015-03-09
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摘 要:本文研究的内容是当前化学机械抛光技术领域的研究热点铜抛光液的研究。首先通过对铜化学机械抛光机理的研究,找到影响抛光质量的主要因素,然后,讨论了抛光液各成分的作用原理,利用UNIPOL1502型研磨抛光机,进行了抛光液成分选择的单因素试验,通过试验选出较适合铜抛光的有机碱,接着以此实验结论为基础,进行了复配次序优化,组分优化等试验,得到了抛光效率较高,性能良好的铜抛光液。最后,利用优化后的抛光液配方做传统抛光和精细雾化抛光比较的试验。研究成果为提高碱性铜抛光液的抛光质量、材料去除率以及改善抛光液性能,提供了一些研究方法和研究思路。

关键词:CMP ;抛光液;铜;去除率

 

目 录

摘 要

ABSTRACT

第1章 绪论-1

1.1选题背景及意义-1

1.2 国内外的发展概况及存在的问题-3

1.3 本课题研究内容和应解决的主要问题-5

第2章 实验条件-7

2.1 实验设备-7

2.1.1 研究环境条件-7

2.1.2 研究设备条件-7

2.2 实验材料-12

第3章 有机碱的选择-13

3.1 有机碱的作用-13

3.2 有机碱试验-14

3.3试验分析-14

第4章 铜抛光液配制方案设计-17

4.1 铜抛光液的原理及影响抛光质量的因素-17

4.1.1 铜抛光液的原理-17

4.1.2 影响抛光质量的因素-18

4.2 抛光液性能评价指标-21

4.2.1材料去除率-21

4.2.2表面粗糙度-21

4.3 配方设计规划-21

4.3.1 成分选择-21

4.3.2 配制次序的优化-21

4.3.3 最优配比及性能优化-22

4.4 抛光液配方优化试验-22

4.4.1 试验目的-22

4.4.2 试验方案选择-22

4.4.3 正交试验的安排-23

4.4.4 试验结果分析-24

4.4.5 试验验证-25

第5章 精细雾化抛光-27

5.1精细雾化的方法-27

5.2精细雾化结果分析-27

第6章 结论与展望-29

6.1结论-29

6.2不足之处及未来展望-29

参考文献-31

致  谢-33

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最新评论
上传会员 lovefish 对本文的描述:世界半导体产业已经进入12英寸晶圆时代,要求IC元件有最优的表面平整度,以满足制造微米及亚微米集成电路的需要。与传统的CVD技术、蚀刻技术相比,CMP技术具有很多优势,如成本低......
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