【摘要】在n型硅基生长由p型氧化锌 /（Cd0.12Zn0.88O / 氧化锌）多量子阱/ n型氧化锌组成的蓝色多量子阱发光二极管。X射线衍射测试显示薄膜在垂直于基材的c轴方向上择优生长。光致发光研究表明440纳米的蓝色发射来自氧化镉锌和384纳米紫外发射来自氧化锌薄膜。LED在室温下显示具有4.69V的开启电压的整流特性。室温电致发光以442nm的峰为主，并伴随着紫外区与氧化锌层有关的380nm的发光峰。发现随着注入电流的增加，电致发光中蓝光发射强度增加，紫外发射强度减弱，因此提高了来自于量子阱的辐射复合。结果表明氧化锌基多量子阱蓝光LED的有着很好的应用前景。

【关键词】氧化锌；锌镉氧；发光二极管

目录

摘要

Abstract

1引    言-1

2 制备方法和测试手段介绍-2

2.1 射频磁控溅射原理-2

2.2 射频磁控溅射实验系统-3

2.3 设备的操作-4

2.4 薄膜性能测量方法-7

2.4.1四探针测试仪-7

2.4.2导电类型鉴定仪-9

3 实验-10

3.1 样品制备-10

3.2 样品测试与表征-10

3.2.1表面形态-10

3.2.2结构表征-11

3.2.3光学性能-14

3.2.4氧化锌/锌镉氧/氧化锌发光二极管的电致发光特性-16

结    论-18

参考文献-19