氧化铜对氧化亚铜薄膜光电特性的影响.doc

资料分类:科技学院 上传会员:布加加 更新时间:2021-02-20
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【摘要】利用磁控溅射并结合后热处理的方法制备了Cu2O薄膜。已经在几个Cu2O样品中检测到CuO相,并研究了其对Cu2O薄膜特性的影响。结果表明,CuO相的存在将导致霍尔迁移率的降低以及Cu2O薄膜表面形态的改变。在不含CuO相的Cu2O膜中获得了具有光学带隙约为2.5eV以及迁移率为43cm 2 V-1 s-1的样品,这表明了Cu2O在制备高场效应器件方面具有很大的应用前景。

【关键词】p型;Cu2O;薄膜晶体管

 

目录

摘要

Abstract

1引    言-1

2 氧化亚铜薄膜制备方法和测试手段介绍-3

2.1 射频磁控溅射原理-3

2.2 射频磁控溅射系统-3

2.3 设备操作-4

2.4 薄膜性能测量方法-4

2.4.1 X射线衍射-4

2.4.2 扫描电子显微镜-5

2.4.3 原子力显微镜-6

2.4.4 紫外-可见-近红外分光光度计-6

3 实验-6

3.1 样品制备-6

3.2 样品测试与分析-7

3.2.1 结构表征-9

3.2.2 表面形态-10

3.2.3 表面粗糙度-11

3.2.4 Cu2O薄膜的光学反射和透光率-12

结    论-15

参考文献-16

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上传会员 布加加 对本文的描述:如图1-2所表现的是氧化铜的晶体结构模型。氧化铜以离子键的成键方式,具有很典型的离子键晶体特征,所以是离子键晶体。其中晶格常数为a=4.685nm,b=3.430nm,c=5.139nm。因此在磁控溅射......
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