【摘要】制备了基于纳米线的ITO/p型氧化镍/n型氧化锌纳米线/铝掺杂氧化锌/n-Si紫外线（UV）发光二极管（LED）。在氧化锌纳米线阵列上沉积p型氧化镍层形成异质结，接着在氧化锌纳米线和p型氧化镍上制备了ITO电极。LED的电流-电压曲线表现出明显的整流特性，其阈值电压约8 V并且具有低的漏电流。在正向偏压下，该器件具有来至于氧化锌带边发射的380 nm 的紫外发光以及来至于缺陷发射的450–650 nm的可见光。利用p型氧化镍/n型氧化锌纳米线异质结的能带图讨论了紫外和可见光发射的来源。

【关键词】纳米结构；氧化镍；氧化锌；发光二极管

目录

摘要

Abstract

1引    言-1

2 氧化镍/氧化锌异质结发光二极管的制备-3

2.1 射频磁控溅射原理-4

2.2 射频磁控溅射系统-5

2.3 实验操作-6

2.4 薄膜性能测量方法-7

2.4.1 扫描电子显微镜SEM-8

2.4.2 X射线衍射XRD-8

3 实验-9

3.1 样品制备-9

3.2 实验结果与讨论-10

3.2.1结构特征-10

3.2.2 p-NiO/n-ZnO纳米线异质结I-V特性-11

3.2.3 光学性能-13

结    论-17

参考文献-18