摘要：随着科技的发展社会需求的提高，传统的性质功能单一的的半导体材料已经不能再满足人们的需求。于是有机半导体材料开始受到人们的关注在近些年迅速发展起来。和传统的无机半导体材料相比，有机半导体材料具有成本低廉，分子结构易控,可塑性强等优点。目前已在有机场效应晶体管、有机发光二极管、有机太阳能电池等有机器件中广泛应用。但是比起有机半导体材料，有机半导体材料的电子迁移率还是太低，为了更好的利用有机半导体材料我们需要对其的禁带宽度、费米能级、最高占据分子轨道(HOMO)、最低未占据分子轨道(LUMO)进行分析。

本实验选取蒽并二噻吩（ADT）两种同分异构体CI-ADT和T-ADT作为研究对象，使用Gaussian View软件进行模拟计算出两种同分异构体的态密度图并绘制出HOMO和LUMO的轨道图展示电子分布。此外还使用紫外光谱仪（UPS）和反光电子能谱仪器（IPES）进行测量得到材料功函数、离化能等数据用于分析其特性。

关键词：有机半导体材料；蒽并二噻吩；HOMO；LOMO；紫外光电子能

目录

摘要

Abstract

第一章   前言-ii

一、有机半导体材料概括-iii

二、有机半导体材料的应用-2

1.有机发光二极管（OLED）-2

2.有机场效应晶体管（OFET）-2

3. 有机太阳能电池-2

三、有机半导体材料的分类-3

四、研究思路-4

第二章 实验仪器及其原理-4

一、 GaussView软件-4

二、紫外光电子能谱仪-5

三、反光电子能谱仪-6

第三章 实验及数据处理-7

一、电子态密度及前线分子轨道图-7

二、紫外光电子能谱和反光电子能谱-9

三、根据实验的数据得到Ci-ADT的能级图-12

结论-12

致    谢-14

参考文献-15