摘要：本课题设计了具有绝缘层电荷的SOI高压器件新结构,并对其耐压能力进行仿真分析。SOI高压器件的耐压能力是由横向和纵向击穿电压的较小者决定的。目前，SOI器件的横向击穿电压可达900伏左右，而纵向击穿电压还没有突破600伏的瓶颈。在对SOI高压器件纵向耐压的新理论、新模型和新结构分析的基础上，我们设计了在传统的SOI器件绝缘层的界面上具有一部分电荷岛区的器件结构。电荷岛形成的电场削弱了漏极的工作电压，从而提高了器件的纵向耐压能力。分析了电荷岛的宽度、高度和小岛间的间距对器件击穿电压的影响，通过medici软件进行模拟仿真，最终确定一组最优参数，使得器件的耐压能力达到637伏特。

关键词：界面电荷岛；SOI高压器件；；medici；纵向耐压

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摘要

Abstract

1.绪论-4

1.1现代的硅技术-4

1.2结构功能-4

1.3高压SOI器件原理-5

1.4实际应用及优点-5

1.5理论模型的建立-5

2. 介质场增强ENDIF理论-7

2.1 ENDIF理论原理-7

2.2 增强介质场的三种方法-9

3. 常规SOI器件和电荷岛结构SOI器件的仿真-10

3.1 具有界面电荷岛的SOI LDMOS结构和原理-10

3.1.1电荷岛结构-10

3.1.2电荷岛工作原理-10

3.2仿真软件MEDICI基本介绍-11

3.3结合MEDICI进行仿真分析-12

3.3.1器件结构仿真参数-12

3.3.2耐压机理仿真分析-12

3.3.3电荷岛结构SOI LDMOS器件各参数影响-18

3.3.4器件参数的最优化选择-20

3.4小结-21

4. 总结-22

致谢-23

参考文献-24

附录-25