摘要：ZnO薄膜发出的光致发光（PL）是由于ZnO晶体中的点缺陷，例如氧空位（Vo）和氧反位（Ozn）等造成的。本文通过化学气相沉积法在常压下于P型Si（100)衬底上沉积出两个具有较好择优取向的多晶ZnO薄膜。通过X射线衍射（XRD）来分析样品的结构特征，发现在波长为325nm的光的激发下，180℃下的样品未退火时的室温光致发光谱在381nm (3.26eV)附近出现了显著的紫外光发射，这是由近带边发射(NBE)引起的。高温退火后氧空位缺陷浓度增加，出现了一个450～600nm的绿光发光带，发光中心在510nm（2.44eV）。而150℃下的样品未退火时的室温PL谱，可以看出其PL谱中不仅有波长389nm（3.20eV）的紫外发射而且还出现了一个很强的蓝光发光中心，波长437nm（2.84 eV）。其紫外发射同样是源于近带边发射(NBE)，而蓝光发射则与氧空位或锌填隙有关。所不同的是，与在空气中退火相比150℃样品在氧气中退火时其绿光发光强度增加，这与氧反位Ozn有很大的关系。

关键词：ZnO薄膜；退火工艺；绿光发光。

目录

摘要

Abstract

第一章 绪论-5

1.1氧化锌ZnO-5

1.2氧化锌ZnO的基本性质-5

1.2.1晶体结构-5

1.2.2氧化锌ZnO的物理化学性质-6

1.2.3透明导体特性-6

1.2.4 ZnO的本征点缺陷-7

1.3氧化锌(ZnO)薄膜的制备方法-8

1.4氧化锌(ZnO)发光原理-9

1.4.1半导体发光分类-9

1.4.2 ZnO材料的发光机制-9

1.4.3光致发光（PL)的定义-9

1.4.4光致发光大致机理和PL谱分析-9

1.5选题依据-10

第二章 实验-11

2.1 引言-11

2.2实验-11

2.3结果与讨论-12

第三章 结论和总结-16

致谢-17

参考文献-18