摘要：在传统MOSFET与隧穿场效应晶体管（TFET）相比，对隧穿参数的依赖消除了阈下斜率的下限，导致阈值电压进一步降低。这个优点使隧穿场效应晶体管（TFET）成为未来低功率电路的有力竞争者。不幸的是，这些优点也伴随着一些缺点，阻碍了隧穿场效应晶体管（TFET）在主流电路中的应用。小电流和大于60mv/dec平均阈下斜率是两个主要缺点。因此进而提出双栅隧穿场效应晶体管（DGTFET），顶部栅极（Top Gate）优化了垂直电场大于横向电场的影响，底部栅极(Bottom Gate)底部引起的能带钉扎对隧穿宽度的影响。因此，在双栅隧穿场效应晶体管中（DGTFET），可以使小电流和大于60mv/dec平均阈下斜率的问题得以解决。基于这一原因，双栅隧穿场效应晶体管(DGTFET)是一个很有希望的候选人，以取代传统的MOSFET。其目前的传输基于带对带(B2B)隧道机制，亚阈值斜坡低于60 mV/dec和大电流可以实现。如果应用到双栅隧穿穿场效应晶体管，在集成电路中，可以使电路反应速度更快、功耗降低。 

关键词：双栅隧穿场效应晶体管（DGTFET）；隧穿场效应晶体管(TFET) ；场效应晶体管（MOSFFET）；

目  录

摘  要

ABSTRACT

第一章 绪论-1

1.1课题研究的介绍-1

第二章 隧穿场效应晶体管-2

2.1隧穿效应-2

2.2垂直隧穿场效应管（VTFET）-3

2.3 本章小结-5

第三章 双栅隧穿场效应晶体管的建模-6

3.1双栅隧穿场效应管-6

3.2带状图-9

3.3隧穿长度-9

3.4隧穿概率-10

3.5隧穿生成速率-12

3.5电流密度-12

3.6隧穿电流-13

3.7本章小结-14

第四章 双栅隧穿场效应晶体管仿真-14

4.1  DGTFET模型仿真-14

4.2 测量验证-19

第五章 隧穿场效应晶体管与双栅隧穿场效应晶体管对比-20

5.1 工艺分析-20

5.2 DGTFET与传统TFET区别-22

5.3工艺实验-24

5.4工艺结果和讨论-27

第六章 总结与展望-31

6.1总结-31

6.2展望-32

参考文献-33

致  谢-33

附  录-34