摘要：半导体技术在不断地发展中，产生了很多新式的元件，在元件停留于复杂辐射环境的情况下，电子设备可否长时间运转的重点即自身的可靠性。时至今日，可以开展数值模拟的方案较为复杂，可以在多种时间与空间标度的物理过程进行适当的模拟。目前，还没有建立放射线损伤生成过程中的完整的物理图像。本文通过数值模拟来研究装置和材料中的辐射损伤机制。主要研究内容如下。

1.我们研究的是中子在SOI装置中产生的放射性反应。首先，使用GEANT4程序模拟入射粒子的输送过程，然后，使用SRIM程序进行二次粒子的输送过程的模拟。在SOI器件的被辐射损伤的特性的分析中可以发现，种子的缺陷分布非常均匀。与二次粒子的缺陷相比，这种缺陷是可以忽视的。

2. 结合蒙特卡洛和分子力学的方法，研究了石墨烯材料的离子辐射效率的全物理过程。电子的负运分子动力学的方法看上去无力，因此有必要利用蒙特卡罗的方法来研究能量的积蓄。

关键字：蒙特卡罗模拟； SOI器件； 辐照损伤

目录

摘要

ABSTRACT

第一章-引言-1

1.1-SOI器件相关介绍-1

1.2-SOI器件的特点及应用-1

1.3-SOI器件辐照效应现状-2

1.4-本文的主要工作和内容安排-2

第二章-SOI器件辐照损伤的蒙特卡洛模拟研究-3

2.1-中子在SOI器件中产生辐照损伤的机理研究-3

2.1.1-中子输运的物理模型和计算方法-3

2.1.2-次级粒子能量沉积的计算方法-5

2.1.3-PKA引起级联碰撞过程的物理模型-5

2.2-SOI器件中辐照损伤产生过程的研究-5

2.2.1-次级粒子的能量、空间和反射角分布-5

2.2.2-次级粒子在器件中的能量沉积-8

第三章-总结-12

参考文献-13

致谢-14