摘要：带隙基准对电路的性能都有着显著的影响，具有广泛的应用前景。为了更好地提高带隙基准电压源的各项性能，本文基于Generic 0.25µm CMOS工艺，利用双极型晶体管基极-发射极电压的负温度系数特性与一个与绝对温度成正比的电压两者按照比例叠加，取得零温度系数电压这个原理，设计了引入PTAT电流的带隙基准电路，并优化了带隙基准电路的温度特性，运用Tanner软件仿真PTAT电流补偿的带隙基准电路的温度特性，以及基准电压随电源电压的变化情况，仿真结果表明，基准有较好的稳定性。

关键词：带隙基准  PTAT电流  电流补偿  温度系数

目录

摘要

Abstract

1. 绪论-1

1.1 课题背景及发展趋势-1

1.2带隙基准源的历史及研究现状-1

1.3 本文的设计结构-3

2. 带隙基准源的理论分析-4

2.1 带隙基准源的原理分析-4

2.1.1负温度系数电压-4

2.1.2正温度系数电压-5

2.1.3 零温度系数基准电压-5

2.2 带隙基准源的影响因素分析-6

2.3  启动电路-7

3. 经典的带隙基准源电路-9

3.1 经典的带隙基准电压源之一-9

3.2 经典的带隙基准电压源之二-9

3.3 两种带隙基准电路的优劣-10

3.4 带隙基准电压源的误差分析-11

3.4.1运放的失调-11

3.4.2 电流镜的失配-11

3.4.3 双极型晶体管引入的误差-12

4. PTAT电流补偿的带隙基准电路的设计与仿真-13

4.1 电路系统结构-13

4.2 PTAT电流的引入-14

4.3 电路结构-16

4.4 电路性能仿真-17

总结与展望-19

文献-20

致谢-21