摘要：半导体存储器以其存储方便，读写速度快，受外界影响较小的特点，应用范围越来越广泛。电可擦除存储器（EEPROM）是一种可编程的存储单元，逐渐成为了半导体存储器的研究热点。

本文通过Silvaco TCAD仿真软件，建立了一个EEPROM单元结构模型，利用利用 Lombardi 迁移率模型(cvt)、Shockley-Read-Hall 模型(srh)、热电子注入模型(hei)等，对其进行了仿真，得到了EEPROM在编程和擦除前后的转移特性曲线和阈值电压的变化，以及这个过程中浮栅中电荷的变化率。在此基础上，研究并确定了编程电压，讨论了隧穿氧化绝缘层厚度、栅间氧化层厚度、温度对编程和擦除特性的影响，优化了器件的参数。

关键词：EEPROM，浮栅，沟道热电子注入，FN隧道效应，隧道氧化层。

目录

摘要

Abstract

1.-绪论-5

1.1-引言-5

1.2-存储器的发展-5

1.3-非易失性存储器-6

2.-EEPROM概述-8

2.1-EEPROM的基本结构-8

2.2-EEPROM的原理-8

3.-TCAD软件介绍-14

3.1-TCAD 软件-14

3.2-软件使用的理论公式-15

3.3-约束条件和模拟物理模型-16

4.-EEPROM仿真-17

4.1-构建模型-17

4.2-EEPROM器件仿真-20

5.-EEPROM参数优化-25

5.1-隧道氧化层厚度-25

5.2-栅极电压-26

5.3-多晶硅间氧化层厚度-27

5.4-温度-28

6.-总结-30

致谢-31

参考文献-32