摘要：AlGaN基深紫外LED特性优良，在许多方面都有广泛的应用。许多研究人员在这方面已经取得了很大的进展，但仍有一些问题需要解决。其中因为AlGaN材料的独特性质，导致器件具有各向异性的光偏振属性。使用matlab仿真软件设计了六种结构，其中C样品和D样品是传统结构，A样品和B样品改变了量子阱的垒层，E样品和F样品改变了量子阱的阱层。通过改变量子阱中阱层和垒层Al组分和厚度，研究其对器件偏振特性的影响。结果得出通过改变量子阱的垒层能够明显改变器件的偏振度，但无法很大地提高TE模发射率。改变量子阱的阱层能够提高TE模发射率，使器件有较好的发光效率，但偏振度较低。

关键词：AlGaN；偏振；量子阱

目  录

摘  要

ABSTRACT

第一章  绪论-1

1.1 研究背景与意义-1

1.2 紫外LED的研究进展-2

1.2.1 国外研究进展-2

1.2.2 国内研究进展-3

1.3 深紫外LED研究遇到的问题-3

1.4 本论文主要研究内容-6

第二章  深紫外发光二极管的研究基础-7

2.1 简介-7

2.1.1 发光二极管-7

2.1.2 紫外发光二极管-7

2.2 AlGaN的基本特性-7

2.3 IQE与电流密度的关系-9

2.4 LEE与偏振特性的关系-9

第三章  结构设计-11

3.1 传统结构-11

3.2 改变垒层-12

3.3 改变阱层-12

3.4 本章小结-13

第四章  仿真结果分析-14

4.1 传统结构-14

4.2 改变垒层-16

4.3 改变阱层-18

4.4 本章小结-20

第五章  全文总结-22

参考文献-23

致  谢-24