摘要：阐述了VDMOS的研究背景、主要应用和发展趋势。简要概述了VDMOS的基本结构、工作原理以及VDMOS的基本特性。简单介绍了Silvaco TCAD的基本功能以及在VDMOS仿真时的作用。运用Silvaco TCAD软件的Deckbuild环境设计了一个硅基VDMOS，运用Athena工艺仿真并结合Tonyplot显示出VDMOS的纵向剖面图。运用Atlas器件仿真并通过不断修改优化结构参数得到了器件的阈值电压，导通电阻，输出特性以及电离击穿特性曲线。综合分析了造成特性参数改变的原因，得到了VDMOS是由栅压控制漏极电流以及阈值电压正关系于导通电阻的结论。

关键词：垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管；开启电压；导通电阻；输出特性；电离击穿特性

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摘  要

ABSTRACT

第一章  VDMOS概述-1

1.1 研究背景-1

1.1.1 VDMOS的应用-1

1.1.2 VDMOS的发展趋势-1

1.2 研究内容-2

1.3 本章小结-3

第二章  VDMOS基本理论-4

2.1 VDMOS的结构及工作原理-4

2.2 VDMOS的基本特性-5

2.2.1 VDMOS的开启电压-5

2.2.2 VDMOS的击穿特性-5

2.2.3 VDMOS的输出特性-6

2.2.4 VDMOS的导通电阻-6

2.3 本章小结-7

第三章  Silvaco TCAD简介-8

3.1 Deckbuild-8

3.2 Athena工艺仿真-8

3.3 Atlas器件仿真-8

3.4 Tonyplot可视化工具-9

3.5 本章小结-9

第四章 VDMOS结构设计与特性仿真-10

4.1 Athena工艺仿真-10

4.2 Atlas器件仿真-21

4.2 本章总结-23

第五章 总结与展望-24

参考文献-25

致  谢-26