摘要：当今世界的半导体技术发展迅猛，在此基础之上，诞生出来很多新型的器件，各种各样的设备广泛应用于运载火箭、宇宙飞船等环境中。而电子元器件不可避免要暴露于空间辐射等强辐射环境中，这样的环境必然会对元器件造成不同程度的破坏，并使整个设备发生故障。本文主要通过数值研究手段研究纳米级MOS器件辐射损伤的蒙特卡洛模拟，研究在纳米级别的MOS设备中质子产生的辐照损伤原理，研究内容如下：利用GEANT4的程序来模拟质子在设备中的运输过程；分析次级粒子的产生，计算PKA的分布；提取次级粒子的物理参数；使用SRIM模拟来计算能量沉积并且模拟装置中的二次粒子的传输。

关键词：蒙特卡洛模拟； MOS器件； 辐照损伤

目录

摘要

ABSTRACT

1. 背景介绍-1

1.1辐照损伤-1

1.1.1电离损伤-1

1.1.2位移损伤-1

1.2蒙特卡洛模拟简介-1

1.2.1蒙特卡洛方法-1

1.2.2蒙特卡洛模拟的应用-2

1.3MOS器件-2

2.纳米级MOS器件辐射损伤的蒙特卡洛模拟-2

2.1质子在纳米级MOS器件中产生辐照损伤的机理研究-2

2.1.1质子在器件中输运的物理模型和计算方法-2

2.1.2纳米级MOS器件中辐照损伤产生过程的研究-3

2.1.3PKA引起级联碰撞的微观过程-6

3.总结-9

参考文献-10

4. 致谢-10