摘要：在信息领域，除了计算组件外，存储组件也是非常重要的组件，长期以来，存储容量和读取数据的能力都被用来衡量信息存储的优劣。一般磁性材料的存储比其他材料存储更普遍，因此，如何提高磁性材料的存储容量及方便读存引起了人们的广泛关注。其中，通过驱动磁畴壁的运动来达到信息的读存是未来的目标，但由于自旋波驱动磁畴有其独特优点（如低功耗等），更驱使人们的极大关注。为了进一步研究磁畴壁与自旋波作用的性质，本论文比较了正弦波、方波等不同自旋波驱动磁畴壁的运动。

第一章介绍了磁性认识的发展历史，磁性材料在存储领域的发展概况，信息的磁畴存储原理以及磁畴壁运动技术等。

第二章介绍了自旋动力学的模拟方法。

第三章建立相关模型，比较研究了方波、正弦波和磁畴壁之间的相互作用，进而了解其相关作用机理。

最后，对自旋波驱动的磁畴壁数据存储技术的发展前景进行了简要的总结。

关键词：自旋波；自旋动力学方法；畴壁运动。

目录

摘要

Abstract

1．绪论-5

1.1磁性材料和磁畴壁运动技术-5

1.2磁畴理论-7

1.2.1畴壁--7

1.2.2磁畴类别-7

1.2.3畴壁的生成方法--9

1.3自旋波驱动畴壁运动的方法-11

1.4本文的研究工作-12

2.自旋动力学模拟方法--13

2.1哈密顿量-13

2.2自旋动力学方法-14

2.3有效场的计算-15

2.4LLG方程的显示形式-15

3.正弦波和方波的自旋波与畴壁相互作用的比较研究-17

3.1简介-17

3.2模型-17

3.3结果和讨论-17

4.总结-19

参考文献-20

5.致谢-21