摘    要

    

本论文中，我们使用了综合物性测试系统（PPMS），用四引线法系统研究了铕银砷化合物的磁电阻性质。实验结果表明，当磁场为0T时，在300K以下，铕银砷化合物的电阻率先随着温度的降低而逐渐减小，呈现出金属行为；当温度降低到120K时，由于铕银砷的结构相变，电阻率出现一个急剧下降；当温度降低到15K左右时，由于铕银砷的两个连续磁相变，电阻率-温度曲线呈现一个鼓包特征。当磁场为9T时，高温部分电阻率-温度曲线变化不大，但在40K以下，零场下的鼓包特征消失，电阻率-温度关系呈现很好金属行为，并出现很大的磁阻。然后，我们研究了不同磁场下的电阻率-温度关系曲线，结果发现，外加磁场明显抑制了低温下铕银砷化合物的两个磁相变——随着磁场的增大，两个磁相变的相变温度向低温移动，当磁场大于4T左右时，在2K以上，我们已经观察不到磁相变，电阻率-温度关系呈现金属特性。接着，我们重点研究了低温下铕银砷化合物的磁电阻随磁场变化的性质，结果表明，当T=2K时，磁电阻先随着磁场的增大缓慢增大，然后当磁场增加至2.1T时，磁电阻开始随磁场增大急剧增加至最大值170%，接着随着磁场的增大又急剧减小，然后在4.1T以上时开始逐渐变得平缓。磁电阻的这个变化趋势在2K-9K的温度下都能观察到，但随着温度的增加，正磁电阻的最大值被明显抑制，而高场下呈现出负磁电阻特性。当T=10K时，磁电阻在测量范围内都为负值，并且在9T磁场下负磁电阻达到约-70%。随着温度的进一步增加，负磁电阻逐渐减小，但在远大于磁相变温度的40K温度下，仍有约-12%的负磁电阻（9T磁场下），这可能是由于高温下Eu离子磁矩会趋向于沿着外磁场排列，从而减小了自旋散射。

 

关键词： 四引线法； 磁电阻

 

 

目    录

 

第一章 引言 1

1.1一般磁阻材料的简单介绍 1

1.2一般磁阻材料中的磁阻 1

1.3磁阻材料的发展走向 1

1.4 MR及磁阻效应发展历程 2

第二章 实验材料简介 2

2.1 EuAg4As2简单介绍 2

第三章 实验方法和过程 3

3.1物性测量系统PPMS的简单介绍 3

3.2用四引线法测量磁电阻的简单介绍 3

3.3用扫场法测量磁电阻的简单介绍 4

3.4实验过程 5

第四章 实验结果与讨论 6

4.1 EuAg4As2的磁电阻实验结果 6

第五章 结论 9

5.1结论 9

参考文献 11

致谢 12